Др Драган В. Подлесник

Dr Dragan V. Podlesnik
Академско звање: Ванредни професор
Ради на Рачунарском факултету од: 01.09.2008.
Датум рођења: 05.06.1953.
емаил: Ова адреса ел. поште је заштићена од спамботова. Омогућите ЈаваСцрипт да бисте је видели.

Академска каријера

Избор у звање: 2013. Рачунарски факултет - Београд, Електротехника, електроника и телекомуникације (ЕТ)
Докторат: 1986. Columbia University - New York, USA, Електротехничко и рачунарско инжењерство
Магистарска теза: 1985. Columbia University - New York, USA, Електротехничко и рачунарско инжењерство
Диплома: 1979. Електротехнички факултет - Београд, Електротехничко и рачунарско инжењерство

Биографија

Др Драган Подлесник је рођен 05.06.1953. године у Београду. Основну школу завршио је 1968. године у Београду, а Прву Београдску гимназију завршио је 1972. године. Дипломирао је 1979. године на Електротехничком факултрету Универзитета у Београду. Мастер рад (MPhil) одбранио је 1985 на Columbia University, New York City, New York, USA. Докторску тезу под насловом "Laser-controlled aqueous etching of GaAs" је одбранио 1986. године, такође на Columbia University, New York City, New York, USA. У периоду 1986-1990 радио је на Electrical Engineering departmanu kao Research Professor. Поред наставе, руководио је пројектима основних истраживања у области примене ласера и плазме у обради материјала за оптоелектронске и електронске компоненте. Након тога прелази у IBM Corporation, Yorktown, New York, најпре у Plasma R&D, као Advisory Scientist, где остаје до 1993. год, а затим у одељење за Logic and DRAM Integration, као Senior Scientist. У овом периоду радио је на технологији плазме и дијагностичким истраживањима и развоју, а био је одговоран за интегритет гате оксида за напредну логику и DRAM производе. Године 1994 се преселио у Калифорнију и запослио у Applied Materials, Santa Clara, California, као Senior Technologist. Као заменик генералног директора, био је одговоран за спецификацију и развој нових производа у Silicon/Oxide Etch Division. У периоду од 1999. до 2004. год. радио је истовремено као генерални директор у Dielectric Etch Organization, the Conductor Etch Organization и у Silicon Etch Division, the Applied Materials. Од 2005. године налази се на положају техничког директора у New Business/New Product Organization и генералног директора компаније Lam Research Corporation, где је одговоран за истраживање и развој нових технологија у индистрији полупроводника. 2008. године изабран је у звање ванредног професора Рачунарског факултета Универзитета „Унион“ у Београду.

Научно-стручна продукција

1. David Mui, Satish Srinivasan, Grant Peng, Ji Zhu, Shih-Chlmg, Dragan Podlesnik, Arjun Mendiratta, “Apparatus for Particle Removal by Single-Phase and Two-Phase Media”, US patent US20120132234A1 (2012)
2. Chung-Ho Huang, Vijayakumar Venugopal, Connie Lam, Dragan Podlesnik, “Arrangement for Identifying Uncontrolled Events at the Process Module Level And Methods Thereof”, US patent US20100332012A1 (2010)
3. Yizhak Sabba, Seokmin Yun, Mark Kawaguchi, Dragan Podlesnik, “Method of Particle Contaminant Removal”, US patent US20100229890A1 (2010)
4. Katrina Mikhaylichenko, Yizhak Sabba, Dragan Podlesnik, “Method and Apparatus for Surface Treatment of Semiconductor Substrates Using Sequential Chemical Applications” US patent US20100018553A1 (2010)
5. K. Xu, S. Pichler, Kurt Wostyn, G. Cado, C. Springer, Glenn W. Gale, Michael Dalmer, Paul W. Mertens, Twan Bearda, E.Gaulhofer, D. Podlesnik, “Removal of Nano-particles by Aerosol Spray: Effect of Droplet Size and Velocity on Cleaning Performance”, Solid State Phenomena, 145-146 (2009) 31-34.
6. Songlin, Xu, T. Lill, D. Podlesnik,“Wall-dependent etching characteristics of organic antireflection coating in O/sub2/+halogen/hydrogen halide plasma”, Journal of Vacuum Science & Technology - A: Vacuum, Surfaces, and Films, 19 (6) (2001) 2893-2899.
7. Songlin, Xu, Sun Zhiwen, A. Chen, Qian Xueyu, D. Podlesnik, “Fluorocarbon polymer formation, characterization, and reduction in polycrystalline-silicon etching with CF/sub 4/-added plasma”, Journal of Vacuum Science & Technology - A: Vacuum, Surfaces, and Films, 19 (3) (2001) 871-877.
8. Songlin, Xu, Sun Zhiwen, Qian Xueyu, J. Holland, D. Podlesnik, “Characteristics and mechanism of etch process sensitivity to chamber surface condition”, Journal of Vacuum Science & Technology –B: Microelectronics and Nanometer Structures, 19 (1) (2001) 166-171.
9. Shaoher, Pan, Xu Songlin, D. Podlesnik, “Decoupled plasma source technology: process region choices for silicide etching”, Japanese Journal of Applied Physics – Part 1: Regular Papers, Short Notes & Review Papers, 36 (4B) (1997) 2514-2520.
10. Cote, D. R., S. V. Nguyen, W. J. Cote, S. L. Pennington, A. K. Stamper, D. V. Podlesnik, „Low temperature chemical vapor deposition processes and dielectrics for microelectronic circuit manufacturing at IBM”, IBM Journal of Research and Development, 39 (4) (1995) 437-464.

 

Рачунарски факултет Рачунарски факултет 011-33-48-079